Fabrikant Productnummer:
SUP70060E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SUP70060E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 131A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voorraad:
12787500
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SUP70060E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Bulk
Reeks
ThunderFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
131A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3330 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
200W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SUP70060
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
CSD19531KCS
Fabrikant
Texas Instruments
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
163
DEELNUMMER
CSD19531KCS-DG
EENHEIDSPRIJS
0.82
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IXFP180N10T2
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
IXFP180N10T2-DG
EENHEIDSPRIJS
3.00
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SQS423EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
SIHB15N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
SQP90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
