Fabrikant Productnummer:
SUP85N10-10-E3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SUP85N10-10-E3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voorraad:
384 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12916792
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SUP85N10-10-E3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6550 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.75W (Ta), 250W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SUP85
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
SUP85N10-10-E3TR
SUP85N10-10-E3TR-DG
SUP85N10-10-E3TRINACTIVE
SUP85N10-10-E3CT-DG
SUP85N10-10-E3CT
SUP85N1010E3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIS429DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
SIR840DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
SI2303CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
