SUP90N06-6M0P-E3
Fabrikant Productnummer:

SUP90N06-6M0P-E3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SUP90N06-6M0P-E3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

581 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12786896
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SUP90N06-6M0P-E3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.75W (Ta), 272W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SUP90

Datasheet & Documenten

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
SUP90N06-6M0P-E3CT-DG
SUP90N06-6M0P-E3DKRINACTIVE
SUP90N06-6M0P-E3TR-DG
SUP90N06-6M0P-E3TR
SUP90N06-6M0P-E3TRINACTIVE
SUP90N06-6M0P-E3CT
SUP90N06-6M0P-E3DKR
SUP90N06-6M0P-E3DKR-DG

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SUB75P03-07-E3

MOSFET P-CH 30V 75A TO263

vishay-siliconix

SUD50P06-15-GE3

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

vishay-siliconix

SIHA15N50E-E3

MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220

vishay-siliconix

SUM40010EL-GE3

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK