Fabrikant Productnummer:
SI4666DY-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SI4666DY-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Voorraad:
13054439
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SI4666DY-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1145 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOIC
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis productnummer
SI4666
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
SI4666DY-T1-GE3CT
SI4666DY-T1-GE3TR
SI4666DY-T1-GE3DKR
SI4666DYT1GE3
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFZ48R
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
IRFP460LC
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
IRFL014TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
