SIA413ADJ-T1-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIA413ADJ-T1-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIA413ADJ-T1-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 12 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

Voorraad:

2900 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13058898
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIA413ADJ-T1-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
12 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 8 V
Vgs (Max.)
±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
19W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakket / Doos
PowerPAK® SC-70-6
Basis productnummer
SIA413

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIA413ADJ-T1-GE3DKR
SIA413ADJ-T1-GE3TR
SIA413ADJ-T1-GE3-ND
SIA413ADJ-T1-GE3CT

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay

SQ2364EES-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

vishay

SI6435ADQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP

vishay

SUM45N25-58-E3

MOSFET N-CH 250V 45A TO263

vishay

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK