Fabrikant Productnummer:
SIB417AEDK-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIB417AEDK-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 8 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Voorraad:
13059044
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIB417AEDK-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Obsolete
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
8 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.2V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
32mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
878 pF @ 4 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SC-75-6
Pakket / Doos
PowerPAK® SC-75-6
Basis productnummer
SIB417
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIB417AEDK-T1-GE3TR
SIB417AEDKT1GE3
SIB417AEDK-T1-GE3DKR
SIB417AEDK-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
SIB441EDK-T1-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2930
DEELNUMMER
SIB441EDK-T1-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.12
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI7882DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
SIB415DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6
SI7772DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
