Fabrikant Productnummer:
SIHH120N60E-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHH120N60E-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Voorraad:
13063202
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHH120N60E-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
E
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
120mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
156W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 8 x 8
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
SIHH120
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIHH120N60E-T1-GE3TR
SIHH120N60E-T1-GE3DKR
SIHH120N60E-T1-GE3CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIJ420DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
SIHB17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
SISS22DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK