SIHP17N80E-GE3

Fabrikant Productnummer:

SIHP17N80E-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHP17N80E-GE3-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

1000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

13010786

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

SIHP17N80E-GE3 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Vishay

Verpakking

Tube

Reeks

E

Verpakking

Tube

Status van onderdeel

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

800 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

15A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

290mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

122 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±30V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

2408 pF @ 100 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

208W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-220AB

Pakket / Doos

TO-220-3

Basis productnummer

SIHP17

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

SIHP17N80E-GE3-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket

1,000

Andere namen

SIHP17N80E-GE3-ND

742-SIHP17N80E-GE3

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

VP0300B-E3

MOSFET P-CH 30V 0.32A TO-205

vishay

SQM50034EL_GE3

MOSFET N-CH 60V 100A TO263

texas-instruments

CSD17382F4T

MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR

texas-instruments

CSD18510KCS

MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3