Fabrikant Productnummer:
SIR626LDP-T1-RE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIR626LDP-T1-RE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 45.6A (Ta), 186A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Voorraad:
6172 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13060499
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIR626LDP-T1-RE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
45.6A (Ta), 186A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5900 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8
Basis productnummer
SIR626
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SIR626LDP-T1-RE3CT
SIR626LDP-T1-RE3TR
SIR626LDP-T1-RE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SQD50034E_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
SI4812BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
SI4442DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
