Fabrikant Productnummer:
SISH129DN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SISH129DN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 30 V 14.4A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Voorraad:
90 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13061230
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SISH129DN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
14.4A (Ta), 35A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3345 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Werkende Temperatuur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8SH
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8SH
Basis productnummer
SISH129
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SISH129DN-T1-GE3CT
SISH129DN-T1-GE3DKR
SISH129DN-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI1488DH-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
SIRA66DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
SI4190DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
