Fabrikant Productnummer:
SISS12DN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SISS12DN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 37.5A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Voorraad:
13057916
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SISS12DN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen IV
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
37.5A (Ta), 60A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.98mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
+20V, -16V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4270 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8S
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8S
Basis productnummer
SISS12
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
SISS12DN-T1-GE3TR
SISS12DN-T1-GE3CT
SISS12DN-T1-GE3DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SI7818DN-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
SIJA52ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
SI7423DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8