Fabrikant Productnummer:
SISS5623DN-T1-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SISS5623DN-T1-GE3-DG
Beschrijving:
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 60 V 10.5A (Ta), 36.3A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Voorraad:
11202 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13374291
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SISS5623DN-T1-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
10.5A (Ta), 36.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
24mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1575 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® 1212-8S
Pakket / Doos
PowerPAK® 1212-8S
Basis productnummer
SISS5623
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SISS5623DN-T1-GE3CT
742-SISS5623DN-T1-GE3DKR
742-SISS5623DN-T1-GE3TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TSM10ND65CI
650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM70N900CI
700V, 4.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
TSM043NB04LCZ
40V, 124A, SINGLE N-CHANNEL POWE