SUP53P06-20-E3
Fabrikant Productnummer:

SUP53P06-20-E3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SUP53P06-20-E3-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 60 V 9.2A (Ta), 53A (Tc) 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

3176 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13008159
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SUP53P06-20-E3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
TrenchFET®
Verpakking
Tube
Status van onderdeel
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9.2A (Ta), 53A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
19.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
SUP53

Datasheet & Documenten

Datasheets
SUP53P06-20-E3
HTML Gegevensblad
SUP53P06-20-E3-DG
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay

SIRA60DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

vishay

SIHW47N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD

vishay

SIHD3N50DT4-GE3

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

vishay

SIR872ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8