DMT10H009SCG-7
Fabrikant Productnummer:

DMT10H009SCG-7

Product Overview

Fabrikant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

DMT10H009SCG-7-DG

Beschrijving:

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 48A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)

Voorraad:

13000941
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

DMT10H009SCG-7 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
14A (Ta), 48A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2085 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
V-DFN3333-8 (Type B)
Pakket / Doos
8-PowerVDFN
Basis productnummer
DMT10

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,000
Andere namen
31-DMT10H009SCG-7TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
goford-semiconductor

G33N03S

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M

goford-semiconductor

G65P06T

MOSFET P-CH 60V 65A TO-220

goford-semiconductor

GT105N10T

N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<

onsemi

NVMYS2D3N06CTWG

T6 60V SL LFPAK4 5X6