FDFM2P110
Fabrikant Productnummer:

FDFM2P110

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDFM2P110-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 3.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm

Voorraad:

2879 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12947131
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FDFM2P110 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
140mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±12V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 10 V
FET-functie
Schottky Diode (Isolated)
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
MicroFET 3x3mm
Pakket / Doos
6-WDFN Exposed Pad

Datasheet & Documenten

Technische fiches
FDFM2P110 Datasheet

Aanvullende informatie

Standaard pakket
761
Andere namen
ONSONSFDFM2P110
2156-FDFM2P110

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
fairchild-semiconductor

FDP7030BL

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDP100N10

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRF6641TRPBF

IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQU5N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2