FDP8860
Fabrikant Productnummer:

FDP8860

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDP8860-DG

Beschrijving:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole TO-220-3

Voorraad:

17481 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946355
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FDP8860 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
12240 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
254W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheet

Aanvullende informatie

Standaard pakket
238
Andere namen
ONSONSFDP8860
2156-FDP8860

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
fairchild-semiconductor

FDP3672

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

international-rectifier

IRF9240

HEXFET POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDD6296

MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK

international-rectifier

AUIRL1404ZS

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK