FQP2N80
Fabrikant Productnummer:

FQP2N80

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQP2N80-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 2.4A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3

Voorraad:

900 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946701
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQP2N80 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
85W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches
FQP2N80 Datasheet

Aanvullende informatie

Standaard pakket
415
Andere namen
2156-FQP2N80
FAIFSCFQP2N80

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
fairchild-semiconductor

FDPF680N10T

MOSFET N-CH 100V 12A TO220F

fairchild-semiconductor

FQI8N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRLR2905ZTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

fairchild-semiconductor

FQP7P06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7