Fabrikant Productnummer:
FQP8N60C
Product Overview
Fabrikant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQP8N60C-DG
Beschrijving:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voorraad:
6143 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946686
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQP8N60C Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1255 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
147W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Aanvullende informatie
Standaard pakket
247
Andere namen
2156-FQP8N60C
ONSONSFQP8N60C
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FQPF630
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
FDD8782
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3