FQP8N60C
Fabrikant Productnummer:

FQP8N60C

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQP8N60C-DG

Beschrijving:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3

Voorraad:

6143 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946686
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQP8N60C Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1255 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
147W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3

Aanvullende informatie

Standaard pakket
247
Andere namen
2156-FQP8N60C
ONSONSFQP8N60C

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
fairchild-semiconductor

FQPF630

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

international-rectifier

AUIRF1010Z

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

fairchild-semiconductor

FDD8782

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FQP2N80

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3