Fabrikant Productnummer:
630AT
Product Overview
Fabrikant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
630AT-DG
Beschrijving:
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220
Voorraad:
87 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13001168
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
630AT Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
509 pF @ 25 V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
83W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220
Pakket / Doos
TO-220-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
100
Andere namen
3141-630AT
4822-630AT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
630AT
Fabrikant
Goford Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
87
DEELNUMMER
630AT-DG
EENHEIDSPRIJS
0.30
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PMCA14UNYL
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
G110N06T
MOSFET N-CH 60V 110A TO-220
