G130N06M
Fabrikant Productnummer:

G130N06M

Product Overview

Fabrikant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

G130N06M-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 60V 90A TO-263
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263

Voorraad:

12993058
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

G130N06M Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Vgs (Max.)
±20V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
85W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,600
Andere namen
4822-G130N06MTR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
G130N06M
Fabrikant
Goford Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
780
DEELNUMMER
G130N06M-DG
EENHEIDSPRIJS
0.32
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
diodes

DMTH12H007SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5

diodes

DMP3007LK3Q-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R

diodes

DMP27M1UPSW-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060

diodes

DMPH16M1UPSW-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060