Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
G130N06M
Product Overview
Fabrikant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
G130N06M-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 90A TO-263
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
12993058
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
G130N06M Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Vgs (Max.)
±20V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
85W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datasheet & Documenten
Technische fiches
G130N06M
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,600
Andere namen
4822-G130N06MTR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
G130N06M
Fabrikant
Goford Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
780
DEELNUMMER
G130N06M-DG
EENHEIDSPRIJS
0.32
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMTH12H007SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
DMP3007LK3Q-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
DMP27M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
DMPH16M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060