G130N06M
Fabrikant Productnummer:

G130N06M

Product Overview

Fabrikant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

G130N06M-DG

Beschrijving:

N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263

Voorraad:

780 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13309548
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

G130N06M Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status van onderdeel
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
36.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2867 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
85W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
800
Andere namen
3141-G130N06MTR
3141-G130N06MCT
3141-G130N06MDKR
4822-G130N06MTR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
RoHS Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
G130N06M
Fabrikant
Goford Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
780
DEELNUMMER
G130N06M-DG
EENHEIDSPRIJS
0.32
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
goford-semiconductor

GT023N10T

N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K804R,LF

N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J808R,LF

P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O

diodes

DMTH12H007SPSW-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5