Fabrikant Productnummer:
GC11N65M
Product Overview
Fabrikant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
GC11N65M-DG
Beschrijving:
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263
Voorraad:
775 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13000379
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
GC11N65M Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
Cool MOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
768 pF @ 50 V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
78W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
800
Andere namen
3141-GC11N65MDKR
4822-GC11N65MTR
3141-GC11N65MTR
3141-GC11N65MCT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SQJA72EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
G2012
MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L
SIHD14N60ET1-GE3
N-CHANNEL 600V