Fabrikant Productnummer:
GT110N06S
Product Overview
Fabrikant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
GT110N06S-DG
Beschrijving:
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Voorraad:
5028 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12974570
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
hjKa
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
GT110N06S Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
SGT
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
3W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
8-SOP
Pakket / Doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
4,000
Andere namen
3141-GT110N06SDKR
3141-GT110N06SCT
3141-GT110N06STR
4822-GT110N06STR
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIR582DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
FDMS86163P-23507X
FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
NTTFS080N10GTAG
100V MVSOA IN U8FL PACKAGE