SIR582DP-T1-RE3
Fabrikant Productnummer:

SIR582DP-T1-RE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIR582DP-T1-RE3-DG

Beschrijving:

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 80 V 28.9A (Ta), 116A (Tc) 5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Voorraad:

1850 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12974576
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIR582DP-T1-RE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET® Gen V
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
80 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
28.9A (Ta), 116A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3360 pF @ 40 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerPAK® SO-8
Pakket / Doos
PowerPAK® SO-8

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
742-SIR582DP-T1-RE3DKR
742-SIR582DP-T1-RE3CT
742-SIR582DP-T1-RE3TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
RS6P100BHTB1
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2725
DEELNUMMER
RS6P100BHTB1-DG
EENHEIDSPRIJS
1.35
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
RS6N120BHTB1
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1763
DEELNUMMER
RS6N120BHTB1-DG
EENHEIDSPRIJS
1.14
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

FDMS86163P-23507X

FET -100V 22.0 MOHM PQFN56

onsemi

NTTFS080N10GTAG

100V MVSOA IN U8FL PACKAGE

onsemi

NVMFS5C410NWFET1G

T6-40V N 0.92 MOHMS SL