Fabrikant Productnummer:
BSS83PH6327XTSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BSS83PH6327XTSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Voorraad:
107633 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12801601
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BSS83PH6327XTSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
SIPMOS®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
330mA (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2Ohm @ 330mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
3.57 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
78 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
360mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-SOT23
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
BSS83PH6327
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
BSS83P H6327CT
BSS83PH6327XTSA1DKR
BSS83PH6327XTSA1TR
SP000702486
BSS83P H6327TR-DG
BSS83P H6327DKR
BSS83P H6327DKR-DG
BSS83P H6327
BSS83P H6327CT-DG
BSS83PH6327XTSA1CT
BSS83P H6327-DG
BSS83PH6327
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPI024N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPP030N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
