Fabrikant Productnummer:
BSZ0901NSIATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BSZ0901NSIATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Voorraad:
5318 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12800555
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BSZ0901NSIATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
25A (Ta), 40A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 15 V
FET-functie
Schottky Diode (Body)
Vermogensdissipatie (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TSDSON-8-FL
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
BSZ0901
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
5,000
Andere namen
BSZ0901NSIDKR-DG
SP000853566
BSZ0901NSIATMA1CT
BSZ0901NSICT
BSZ0901NSI
BSZ0901NSIATMA1TR
BSZ0901NSITR
BSZ0901NSIDKR
BSZ0901NSIATMA1DKR
BSZ0901NSICT-DG
BSZ0901NSITR-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
IPB65R600C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
