Fabrikant Productnummer:
IPB65R660CFDAATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPB65R660CFDAATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Voorraad:
4518 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12801349
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPB65R660CFDAATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
543 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
62.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-3
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IPB65R660
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
448-IPB65R660CFDAATMA1TR
448-IPB65R660CFDAATMA1DKR
IPB65R660CFDAATMA1-DG
2156-IPB65R660CFDAATMA1
448-IPB65R660CFDAATMA1CT
SP000875794
INFINFIPB65R660CFDAATMA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPB80N06S2H5ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD65R380C6BTMA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
