IPD60R600P6ATMA1
Fabrikant Productnummer:

IPD60R600P6ATMA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPD60R600P6ATMA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Voorraad:

4899 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12803242
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPD60R600P6ATMA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™ P6
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
557 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
63W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD60R

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,500
Andere namen
SP001178242
IPD60R600P6ATMA1-DG
IPD60R600P6ATMA1CT
IPD60R600P6ATMA1TR
IPD60R600P6ATMA1DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IRF7450TR

MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO

infineon-technologies

IPB35N10S3L26ATMA1

MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

infineon-technologies

IPI084N06L3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3

infineon-technologies

IPC302N08N3X1SA1

MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL