Fabrikant Productnummer:
IPD80R360P7ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPD80R360P7ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 84W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Voorraad:
12851854
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPD80R360P7ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolMOS™ P7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 280µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
930 pF @ 500 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
84W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO252-3
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis productnummer
IPD80R
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
IPD80R360P7ATMA1CT
SP001633516
IPD80R360P7ATMA1TR
IPD80R360P7ATMA1DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STD13N60M2
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
8724
DEELNUMMER
STD13N60M2-DG
EENHEIDSPRIJS
0.81
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
FDS8896
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
FDT439N
MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
