Fabrikant Productnummer:
IPP60R099P7XKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPP60R099P7XKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Voorraad:
1904 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12803485
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPP60R099P7XKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™ P7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 530µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1952 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
117W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
IPP60R099
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
IPP60R099P7XKSA1-DG
448-IPP60R099P7XKSA1
SP001647032
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPB60R299CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
IPP80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
