Fabrikant Productnummer:
IPW65R099CFD7AXKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPW65R099CFD7AXKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Voorraad:
194 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12978144
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPW65R099CFD7AXKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
*
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
99mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 630µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2513 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
127W (Tc)
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3-41
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IPW65R099
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
448-IPW65R099CFD7AXKSA1
SP005324286
2156-IPW65R099CFD7AXKSA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
AON6104FH
MOSFET N-CH 8DFN 5X6
IMBG120R090M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
GT6K2P10KH
MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
