Fabrikant Productnummer:
IPW65R125CFD7XKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPW65R125CFD7XKSA1-DG
Beschrijving:
HIGH POWER_NEW
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 98W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Voorraad:
12988685
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPW65R125CFD7XKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolMOS™ CFD7
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
125mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 420µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1694 pF @ 400 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
98W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IPW65R
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
448-IPW65R125CFD7XKSA1
SP005413372
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
TK7A80W,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
S2M0025120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK8A25DA,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
