Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
IPW65R420CFDFKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPW65R420CFDFKSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
12803780
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPW65R420CFDFKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
CoolMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 340µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
83.3W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3-1
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IPW65R420
Datasheet & Documenten
Datasheets
IPW65R420CFDFKSA1
HTML Gegevensblad
IPW65R420CFDFKSA1-DG
Aanvullende informatie
Standaard pakket
240
Andere namen
2156-IPW65R420CFDFKSA1
SP000890686
IPW65R420CFD
448-IPW65R420CFDFKSA1
IPW65R420CFD-DG
IPW65R420CFDFKSA1-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
APT11N80BC3G
Fabrikant
Microchip Technology
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
90
DEELNUMMER
APT11N80BC3G-DG
EENHEIDSPRIJS
3.36
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IPW65R420CFDFKSA2
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
238
DEELNUMMER
IPW65R420CFDFKSA2-DG
EENHEIDSPRIJS
1.19
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
SIHG11N80E-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
SIHG11N80E-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
2.17
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRFZ44ZSPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
IRF9Z34NSTRRPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
IPU13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
IRFR3704
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK