Fabrikant Productnummer:
SIHG11N80E-GE3
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SIHG11N80E-GE3-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Voorraad:
12787054
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SIHG11N80E-GE3 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
179W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247AC
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
SIHG11
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IXFH16N80P
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
295
DEELNUMMER
IXFH16N80P-DG
EENHEIDSPRIJS
4.52
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DEELNUMMER
IXFH14N60P
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
24
DEELNUMMER
IXFH14N60P-DG
EENHEIDSPRIJS
2.65
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHB10N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 10A TO263
SUD50N03-16P-GE3
MOSFET N-CH 30V TO252
SUP50020E-GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB