Fabrikant Productnummer:
IRF3205ZPBFAKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IRF3205ZPBFAKSA1-DG
Beschrijving:
TRENCH 40<-<100V
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904
Voorraad:
13269512
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IRF3205ZPBFAKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
55 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3450 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
170W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO220-3-904
Pakket / Doos
TO-220-3
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP005724919
448-IRF3205ZPBFAKSA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPB70N10S3L12ATMA2
MOSFET_(75V 120V(
IMW65R007M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IPP034N08N5XKSA1
TRENCH 40<-<100V