Fabrikant Productnummer:
IRF640NLPBF
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IRF640NLPBF-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262
Voorraad:
794 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12804873
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IRF640NLPBF Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
HEXFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
150mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1160 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
150W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-262
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IRF640
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
*IRF640NLPBF
SP001563296
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
FQI27N25TU
Fabrikant
Fairchild Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
600
DEELNUMMER
FQI27N25TU-DG
EENHEIDSPRIJS
1.48
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPB80N04S303ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF6215LPBF
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
IRFR3707ZPBF
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK