Fabrikant Productnummer:
SPI80N10L
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SPI80N10L-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Voorraad:
13064307
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SPI80N10L Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
SIPMOS®
Verpakking
Tube
Status van onderdeel
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
14mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 2mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4540 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
250W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO262-3-1
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
SPI80N
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
SP000014351
SPI80N10LX
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
STD80N10F7
Fabrikant
STMicroelectronics
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2500
DEELNUMMER
STD80N10F7-DG
EENHEIDSPRIJS
0.69
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRLZ24NSPBF
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
SPB18P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
SPD07N60C3ATMA1
LOW POWER_LEGACY
