IRF1010ZPBF
Fabrikant Productnummer:

IRF1010ZPBF

Product Overview

Fabrikant:

International Rectifier

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IRF1010ZPBF-DG

Beschrijving:

IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

350 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946961
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IRF1010ZPBF Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
HEXFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
55 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2840 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
140W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheet

Aanvullende informatie

Standaard pakket
320
Andere namen
IFEIRFIRF1010ZPBF
2156-IRF1010ZPBF-IR

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
fairchild-semiconductor

FDD8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMS8023S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDB029N06

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

international-rectifier

AUIRF1010ZL

MOSFET N-CH 55V 75A TO262