Fabrikant Productnummer:
IRF2805PBF
Product Overview
Fabrikant:
International Rectifier
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IRF2805PBF-DG
Beschrijving:
IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voorraad:
1042 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946770
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IRF2805PBF Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
HEXFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
55 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
5110 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
330W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
243
Andere namen
2156-IRF2805PBF
IFEIRFIRF2805PBF
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
FQP3P20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FQA44N30
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4