Fabrikant Productnummer:
PHB18NQ10T,118
Product Overview
Fabrikant:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
PHB18NQ10T,118-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voorraad:
1966 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12947130
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
PHB18NQ10T,118 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
NXP Semiconductors
Verpakking
Bulk
Reeks
TrenchMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
90mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
633 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
79W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
D2PAK
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
671
Andere namen
2156-PHB18NQ10T,118
NEXNXPPHB18NQ10T,118
Milieu- en Exportclassificatie
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDFM2P110
MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
FDP7030BL
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FDP100N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
