PSMN018-100ESFQ
Fabrikant Productnummer:

PSMN018-100ESFQ

Product Overview

Fabrikant:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

PSMN018-100ESFQ-DG

Beschrijving:

NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole I2PAK

Voorraad:

4976 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12996452
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

PSMN018-100ESFQ Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
NXP Semiconductors
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
53A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
18mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
21.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1482 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
111W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
I2PAK
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datasheet & Documenten

Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
751
Andere namen
2156-PSMN018-100ESFQ-954

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Vendor Undefined
REACH-status
REACH Unaffected
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
rohm-semi

R8009KNXC7G

HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A

infineon-technologies

IPL65R1K5C6SE8211ATMA1

IPL65R1K5 - 650V AND 700V COOLMO

fairchild-semiconductor

SCH1331-TL-W

POWER MOSFET

sanyo

ECH8607-TL-E

N-CHANNEL SILICON MOSFET