NVH4L020N120SC1
Fabrikant Productnummer:

NVH4L020N120SC1

Product Overview

Fabrikant:

onsemi

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

NVH4L020N120SC1-DG

Beschrijving:

SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Voorraad:

862 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12938864
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

NVH4L020N120SC1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
onsemi
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
20V
Rds aan (max) @ id, vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 20mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -15V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2943 pF @ 800 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
510W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-4L
Pakket / Doos
TO-247-4
Basis productnummer
NVH4L020

Datasheet & Documenten

Technische fiches
NVH4L020N120SC1
Datasheets
NVH4L020N120SC1
HTML Gegevensblad
NVH4L020N120SC1-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
30
Andere namen
488-NVH4L020N120SC1

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
onsemi

NTF2955PT1G

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

onsemi

NVMFS5C466NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN

onsemi

NVMTS1D2N08H

MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW

vishay-siliconix

IRF630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB