PJP2NA70_T0_00001
Fabrikant Productnummer:

PJP2NA70_T0_00001

Product Overview

Fabrikant:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

PJP2NA70_T0_00001-DG

Beschrijving:

700V N-CHANNEL MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 700 V 2A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

12971120
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

PJP2NA70_T0_00001 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
PANJIT
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
700 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
6.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
45W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
PJP2

Datasheet & Documenten

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
3757-PJP2NA70_T0_00001

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
SIHP5N80AE-GE3
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1010
DEELNUMMER
SIHP5N80AE-GE3-DG
EENHEIDSPRIJS
0.52
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
alpha-and-omega-semiconductor

AOT66613L

MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO220

panjit

PJE8402_R1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

SIHD3N50D-BE3

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

panjit

PJQ4444P-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M