SIHP5N80AE-GE3
Fabrikant Productnummer:

SIHP5N80AE-GE3

Product Overview

Fabrikant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

SIHP5N80AE-GE3-DG

Beschrijving:

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 800 V 4.4A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

1010 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12992655
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

SIHP5N80AE-GE3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
Tube
Reeks
E
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
800 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
321 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
62.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches
SIHP5N80AE-GE3

Aanvullende informatie

Standaard pakket
50
Andere namen
742-SIHP5N80AE-GE3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SQJQ131EL-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)

panjit

PJA3415A_R1_00001

SOT-23, MOSFET

icemos-technology

ICE19N60L

Superjunction MOSFET

vishay-siliconix

SQJ123ELP-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)