NP88N04NUG-S18-AY
Fabrikant Productnummer:

NP88N04NUG-S18-AY

Product Overview

Fabrikant:

Renesas

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

NP88N04NUG-S18-AY-DG

Beschrijving:

NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 88A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262

Voorraad:

1450 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12987356
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

NP88N04NUG-S18-AY Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Renesas Electronics Corporation
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.4mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
15000 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Werkende Temperatuur
175°C
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-262
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
112
Andere namen
2156-NP88N04NUG-S18-AY

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
RoHS non-compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
IPI90N04S402AKSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
453
DEELNUMMER
IPI90N04S402AKSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
1.25
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIJH5700E-T1-GE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE

onsemi

FDD4243-G

FDD4243-G

international-rectifier

AUIRFC8407TR

AUIRFC8407 - 30V-250V N-CHANNEL

goford-semiconductor

G65P06F

MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F