Fabrikant Productnummer:
R6061YNZ4C13
Product Overview
Fabrikant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
R6061YNZ4C13-DG
Beschrijving:
NCH 600V 61A, TO-247, POWER MOSF
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 61A (Tc) 568W (Tc) Through Hole TO-247
Voorraad:
596 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13005798
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
R6061YNZ4C13 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
ROHM Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V, 12V
Rds aan (max) @ id, vgs
60mOhm @ 13A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 3.5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3700 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
568W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
R6061
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
846-R6061YNZ4C13
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IAUCN04S7N004ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
TPH9R00CQ5,LQ
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
GAN140-650EBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE