STB18NM60ND
Fabrikant Productnummer:

STB18NM60ND

Product Overview

Fabrikant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

STB18NM60ND-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

12882002
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

STB18NM60ND Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
STMicroelectronics
Verpakking
-
Reeks
FDmesh™ II
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1030 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
110W (Tc)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
STB18

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000
Andere namen
497-13829-6
-497-13829-6
497-13829-1
497-13829-2
-497-13829-2
-497-13829-1

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
IXTA14N60P
Fabrikant
IXYS
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
235
DEELNUMMER
IXTA14N60P-DG
EENHEIDSPRIJS
2.12
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
R6015ENJTL
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
4
DEELNUMMER
R6015ENJTL-DG
EENHEIDSPRIJS
1.65
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
R6015KNJTL
Fabrikant
Rohm Semiconductor
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
2982
DEELNUMMER
R6015KNJTL-DG
EENHEIDSPRIJS
1.13
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DEELNUMMER
IPB60R299CPAATMA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
3987
DEELNUMMER
IPB60R299CPAATMA1-DG
EENHEIDSPRIJS
1.41
SUBSTITUTIE TYPE
Similar
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

IRF830STRL

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

diodes

DMT6013LFDF-13

MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN

stmicroelectronics

STP7NB60

MOSFET N-CH 600V 7.2A TO220AB

diodes

DMN67D8LW-7

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323