Fabrikant Productnummer:
TK4R3E06PL,S1X
Product Overview
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
TK4R3E06PL,S1X-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
Voorraad:
177 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12890243
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
TK4R3E06PL,S1X Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpakking
Tube
Reeks
U-MOSIX-H
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
7.2mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
48.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3280 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
87W (Tc)
Werkende Temperatuur
175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
TK4R3E06
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
TK4R3E06PLS1X
TK4R3E06PL,S1X(S
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMG3407SSN-7
MOSFET P-CH 30V 4A SC59
TK6Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
TPCA8120,LQ(CM
MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP
