Fabrikant Productnummer:
2N7002
Product Overview
Fabrikant:
UMW
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
2N7002-DG
Beschrijving:
S0T-23 MOSFETS ROHS
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Voorraad:
274 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13002552
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
2N7002 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
UMW
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
UMW
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
115mA (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max.)
20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
225mW (Ta)
Werkende Temperatuur
150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SOT-23
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
2N7002
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
4518-2N7002TR
4518-2N7002CT
4518-2N7002DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FBG04N08ASH
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
IMYH200R100M1HXKSA1
SIC DISCRETE
DMTH10H032LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
