Fabrikant Productnummer:
IRF610S
Product Overview
Fabrikant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IRF610S-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Voorraad:
12907636
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IRF610S Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Vishay
Verpakking
-
Reeks
-
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3W (Ta), 36W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis productnummer
IRF610
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
*IRF610S
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IRF610SPBF
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
320
DEELNUMMER
IRF610SPBF-DG
EENHEIDSPRIJS
0.66
SUBSTITUTIE TYPE
Direct
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IRF730STRR
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
IXTH6N90A
MOSFET N-CH 900V 6A TO247
FQI6N60CTU
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK